12月6日最新消息,数码博主“数码闲聊站”透露:部分已上市的中端机型正面临内存成本飙升带来的巨大压力,后续不排除集体调价的可能。该博主未点名具体机型,但结合当前供应链动态研判,配备大容量RAM(如12GB/16GB)或大规格存储(512GB及以上)的版本,涨价概率显著更高。自2025年下半年起,全球存储芯片市场已全面进入强势上行通道。驱动本轮涨价的核心引擎,是AI产业爆发式增长——大模型训练与实时推理对高带宽、低延迟内存提出海量需求,单台AI服务器所需DRAM容量达传统服务器的8倍之多。供需失衡...
12月6日最新消息,数码博主“数码闲聊站”透露:部分已上市的中端机型正面临内存成本飙升带来的巨大压力,后续不排除集体调价的可能。该博主未点名具体机型,但结合当前供应链动态研判,配备大容量ram(如12gb/16gb)或大规格存储(512gb及以上)的版本,涨价概率显著更高。
自2025年下半年起,全球存储芯片市场已全面进入强势上行通道。驱动本轮涨价的核心引擎,是AI产业爆发式增长——大模型训练与实时推理对高带宽、低延迟内存提出海量需求,单台AI服务器所需DRAM容量达传统服务器的8倍之多。供需失衡迅速传导至全尺寸芯片,从DDR5台式内存到LPDDR5X手机内存,从小容量eMMC到大容量UFS 4.0,均陷入持续紧平衡状态。
头部原厂响应迅速:三星电子于11月对多款内存芯片提价,最高涨幅达60%;闪迪同步大幅上调NAND Flash合约价,单月涨幅高达50%。
TrendForce集邦咨询最新评估指出,厂商涨价预期持续升温,已将2025年第四季度常规DRAM(Conventional DRAM)价格涨幅预测由原先的8%–13

%,大幅上调至18%–23%,且存在进一步上修可能。
行业共识认为,此轮存储合约价上涨周期有望延续至2026年第二季度甚至更久。届时,DRAM与NAND Flash仍将处于全面缺货状态。换言之,2026年上半年发布的新旗舰及次旗舰机型,几乎必然迎来终端售价上浮,其中大内存/大存储配置将成为涨价主力区间。对于消费者而言,当下或许正是年内最后一波相对理性的换机窗口期。
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